CSD18510KTT
CSD18510KTT
Active
Beschreibung:  MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Hersteller:  Texas Instruments
Datenblatt:   CSD18510KTT Datenblatt
Referenzpreis: $2.50000
Vorrätig: 42930
CSD18510KTT Spezifikation
Spezifikation
Hersteller-Teil
CSD18510KTT
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Reihe
NexFET
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
274A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
11400 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
DDPAK/TO-263-3
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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CSD18510KTT Beschreibung
Der Texas Instruments CSD18510KTT ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er ist besonders geeignet für Anwendungen in der DC-DC-Wandlung, Motorsteuerungen und anderen Hochstromanwendungen. Der CSD18510KTT bietet eine hohe Effizienz und eine ausgezeichnete thermische Leistung, was ihn zu einer idealen Wahl für moderne elektronische Designs macht.

## Allgemeine Beschreibung

Der CSD18510KTT ist ein N-Kanal MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V und einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 50 A. Er ist in einem kompakten TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine einfache Montage und Kühlung ermöglicht. Der MOSFET ist für hohe Schaltfrequenzen optimiert und bietet eine niedrige RDS(on), was zu einer geringeren Verlustleistung führt.

## Technische Spezifikationen

- Typ: N-Kanal MOSFET
- Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 100 V
- Maximaler kontinuierlicher Drain-Strom (ID): 50 A
- RDS(on): 8 mΩ bei VGS = 10 V
- Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
- Maximale Pulsstrom (IDM): 100 A
- Schaltzeiten:
- Einschaltzeit (ton): 30 ns
- Ausschaltzeit (toff): 60 ns
- Maximale Junction-Temperatur (TJ): 150 °C
- Gehäuse: TO-220

## Anwendungen

Der CSD18510KTT eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:

- DC-DC-Wandler
- Motorsteuerungen
- Schaltregler
- Hochfrequenz-Schaltungen
- Leistungsmanagement in tragbaren Geräten

## Vorteile

- Hohe Effizienz: Die niedrige RDS(on) sorgt für geringere Leistungsverluste und höhere Effizienz in Schaltungen.
- Gute thermische Leistung: Das TO-220-Gehäuse ermöglicht eine effektive Wärmeableitung, was die Zuverlässigkeit in Hochstromanwendungen erhöht.
- Schnelle Schaltzeiten: Die optimierten Schaltzeiten ermöglichen eine effiziente Leistung in Hochfrequenzanwendungen.

## Fazit

Der Texas Instruments CSD18510KTT ist ein vielseitiger und leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der sich durch seine hohe Effizienz und hervorragende thermische Eigenschaften auszeichnet. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die zuverlässige und leistungsfähige Lösungen für ihre Leistungselektronikprojekte suchen. Mit seinen umfangreichen Spezifikationen und der einfachen Integration in verschiedene Designs ist der CSD18510KTT eine wertvolle Komponente für moderne elektronische Systeme.
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  • Kundenbewertungen
    4,95 von 5,00 Sternen aus 78 Kundenbewertungen aus aller Welt
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    Spain
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    2026-03-21 10:18
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