Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
200A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
81 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6620 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DDPAK/TO-263-3
Gehäuse / Hülle
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
