Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.05V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14.6 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2275 pF @ 4 V
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
9-DSBGA
Gehäuse / Hülle
9-UFBGA, DSBGA
