Technische Parameter
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.8A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
116mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
0.95V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1.23 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
234 pF @ 6 V
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-PICOSTAR
