Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
13V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
1.5V, 3.5V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
2.4A, 2.4A
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
1200 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
30ns, 50ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
36-BSSOP (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-DSO-36
