Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
250mA, 500mA
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
1200 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
90ns, 40ns
Betriebstemperatur
125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Gehäusetyp vom Lieferanten
44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)