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MT49H32M9SJ-25:B
MT49H32M9SJ-25:B
Obsolete
Speicher
Beschreibung:  IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
Hersteller:  Micron Technology
Datenblatt:   MT49H32M9SJ-25:B Datenblatt
Referenzpreis: Obsolete
Vorrätig: 2480
Vertriebspartner
Spezifikation
PDF Datenblatt
Äquivalent
MT49H32M9SJ-25:B Spezifikation
Spezifikation
Hersteller-Teil
MT49H32M9SJ-25:B
Kategorie
Speicher
Hersteller
Micron Technology
Reihe
-
Verpackung
Tray
Status
Obsolete
Einhaltung von Umweltvorschriften
Bleifrei
Strahlenhärtung
Nein
REACH SVHC
Kein SVHC
RoHS
Gefällig
HS-Code
-
Technische Parameter
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
DRAM
Speichergröße
288Mbit
Speicherorganisation
32M x 9
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
20 ns
Spannung - Versorgung
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 95 ℃ (TC)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
144-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
144-FBGA (18.5x11)
MT49H32M9SJ-25:B PDF Datenblatt
MT49H32M9SJ-25:B Datenblatt
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    2026-03-11 10:19
    Das Produkt entspricht der Ankündigung und sendet ordentlich und sehr schnell danke.
    Simon Gagnon
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    2026-03-10 04:05
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