Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
High-Side and Low-Side
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
9V ~ 12V
Logikspannung - VIL, VIH
2V, 0.8V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
-
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
15ns, 10ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PowerSOIC