Technische Parameter
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Gattertyp
N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5V ~ 40V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
60ns, 60ns
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC