Technische Parameter
Typ
Power Transistor Driver
Spannung - Isolation
5000Vrms
Gleichtakt-Transientenimmunität (min.)
10kV/µs
Strom - Ausgang / Kanal
500mA, 600mA
Laufzeitverzögerung tpLH / tpHL (max.)
5µs, 5µs
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
200ns, 100ns
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
1.1 V
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
25 mA
Spannung - Versorgung
5.4V ~ 13V
Betriebstemperatur
-20 ℃ ~ 80 ℃
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DIP