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APTGT50DA170T1G
APTGT50DA170T1G
Obsolete
Beschreibung:  IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
Hersteller:  Microsemi Corporation
Referenzpreis: Obsolete
Vorrätig: 36980
APTGT50DA170T1G vs APTGT50DA170TG
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Obsolete
Obsolete
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Konfiguration
Single
Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1700 V
1700 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
75 A
75 A
Leistung - Max.
312 W
312 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2.4V @ 15V, 50A
2.4V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
250 μA
250 μA
EingangsKapazität (Cies) bei Vce
4.4 nF @ 25 V
4.4 nF @ 25 V
Eingang
Standard
Standard
NTC-Thermistor
Yes
Yes
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Chassis Mount
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
SP1
SP4
Gehäusetyp vom Lieferanten
SP1
SP4