Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3.5A (Ta)
4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2.5V, 4.5V
1.8V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
40mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.3V @ 250μA
1.1V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11.2 nC @ 4.5 V
5.6 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1370 pF @ 6 V
510 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-DSBGA (1x1.5)
9-DSBGA
Gehäuse / Hülle
6-UFBGA, DSBGA
9-UFBGA, DSBGA
