Verpackung
Tube
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Tc)
3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
1.8V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.3V @ 250μA
1.1V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
6.3 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3150 pF @ 20 V
914 pF @ 4 V
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
6-DSBGA (1x1.5)
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
6-UFBGA, DSBGA
