CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
Active
Beschreibung:  MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Hersteller:  Texas Instruments
Datenblatt:   CSD18540Q5B Datenblatt
Referenzpreis: $2.67000
Vorrätig: 45920
CSD18540Q5B vs CSD17322Q5A
Hersteller-Teil
Reihe
NexFET
NexFET
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Ta)
87A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
4.5V, 8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
8.8mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.3V @ 250μA
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
53 nC @ 10 V
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
?0V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4230 pF @ 30 V
695 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-VSON-CLIP (5x6)
8-VSONP (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN