CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
Active
Beschreibung:  MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Hersteller:  Texas Instruments
Datenblatt:   CSD18540Q5B Datenblatt
Referenzpreis: $2.67000
Vorrätig: 45920
CSD18540Q5B vs CSD23382F4
Hersteller-Teil
Reihe
NexFET
FemtoFET
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
N-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Ta)
3.5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
1.8V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
76mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.3V @ 250μA
1.1V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
53 nC @ 10 V
1.35 nC @ 6 V
Vgs (Max.)
?0V
?V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4230 pF @ 30 V
235 pF @ 6 V
FET-Merkmal
-
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-VSON-CLIP (5x6)
3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
3-XFDFN