Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Ta)
1.7A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
1.8V, 8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
132mOhm @ 400mA, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.3V @ 250μA
1.2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
53 nC @ 10 V
0.91 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4230 pF @ 30 V
155 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-VSON-CLIP (5x6)
3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
3-XFDFN