Technologie
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1700 V
1700 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
82A
31A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 30 A
1.8 V @ 10 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
200 μA @ 1700 V
200 μA @ 1700 V
Kapazität bei Vr, F
2070pF @ 1V, 1MHz
820pF @ 1V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-247-2
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
TO-247-3
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
