UF4006HR1G
UF4006HR1G
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Hersteller:  Taiwan Semiconductor
Datenblatt:   UF4006HR1G Datenblatt
Referenzpreis: Active
Vorrätig: 44640
UF4006HR1G vs UF4007-M3/73
Hersteller-Teil
Reihe
Automotive, AEC-Q101
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Box (TB)
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 1 A
1.7 V @ 1 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
75 ns
75 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 800 V
10 μA @ 1000 V
Kapazität bei Vr, F
17pF @ 4V, 1MHz
17pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-204AL, DO-41, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-204AL (DO-41)
DO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃