IR2011STRPBF
IR2011STRPBF
Active
Beschreibung:  IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Hersteller:  Infineon Technologies
Referenzpreis: $3.46000
Vorrätig: 12500
IR2011STRPBF vs IR2133JTRPBF
Hersteller-Teil
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Getriebene Konfiguration
High-Side or Low-Side
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
3-Phase
Anzahl der Treiber
2
6
Gattertyp
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
0.8V, 2.2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1A, 1A
250mA, 500mA
Eingangstyp
Inverting
Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
200 V
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
35ns, 20ns
90ns, 40ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
125 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)