IR2011STRPBF
IR2011STRPBF
Active
Beschreibung:  IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Hersteller:  Infineon Technologies
Referenzpreis: $3.46000
Vorrätig: 12500
IR2011STRPBF vs IR2151
Hersteller-Teil
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
Status
Active
Obsolete
Getriebene Konfiguration
High-Side or Low-Side
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
Synchronous
Anzahl der Treiber
2
2
Gattertyp
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1A, 1A
125mA, 250mA
Eingangstyp
Inverting
RC Input Circuit
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
200 V
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
35ns, 20ns
80ns, 40ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-PDIP