Getriebene Konfiguration
High-Side
Half-Bridge
Kanaltyp
Single
Independent
Gattertyp
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5V ~ 20V
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
1.4V, 3V
0.8V, 2.9V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
1.5A, 1.5A
200mA, 350mA
Eingangstyp
Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
150 V
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
200ns, 100ns
150ns, 50ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-PDIP
