Verpackung
Tube
Tape & Reel (TR)
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Half-Bridge
Kanaltyp
Synchronous
Independent
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
5V ~ 20V
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.9V
0.8V, 2.3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
200mA, 350mA
60mA, 130mA
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
600 V
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
130ns, 50ns
200ns, 100ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PDIP
8-SOIC