Verpackung
Bulk or Tube
Tube
Status
Last Time Buy
Obsolete
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
Independent
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 2.9V
0.8V, 2.9V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
200mA, 350mA
200mA, 350mA
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
600 V
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
150ns, 50ns
150ns, 50ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-SOIC
