Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3.6A (Ta)
5A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1.8V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
76mOhm @ 400mA, 4.5V
5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.3V @ 250μA
1.05V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1.2 nC @ 4.5 V
14.6 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
156 pF @ 6 V
2275 pF @ 4 V
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-PICOSTAR
9-DSBGA
Gehäuse / Hülle
3-XFDFN
9-UFBGA, DSBGA
